microSD / SD

microSD / SD 記憶卡

记忆卡种类最被广泛使用之规格有两种:SD与microSD。
使用Flash(快闪记忆体)晶片作为储存媒介,具重复读写,无需外部电源的储存形式

应用

• 无人机
• 行动摄影设备
• 智慧型手机
• 数位相机
• 消费型电子产品及行动装置

优势

• 提供完整的解决方案,设计/封装/测试一站式服务,有效缩短产品上市时间。
• 成熟稳定的高堆栈技术,提供更高储存容量、更快读写速度的同时也维持稳定的高良率。
• 彩色喷印,提高产品辨识度。
• 提供客制化服务。

microSD / SD 可靠性试验条件

依照SDA可靠性试验规定项目

Test Item Application Method Condition Duration Remark
High temperature storage test SDA   85°C 500 hours  
High temperature operation Test SDA   85℃ 72 hours  
Low temperature storage test SDA   -40°C 168 hours  
Low temperature operation Test SDA   -25℃ 72 hours  
Burn in test SDA   25℃ 72 hours  
Temperature cycle test SDA   -40°C ~ 85°C 100 cycles  
Temperature and humidity storage test SDA   40°C / 95% RH 500 hours  
Salt water spray test MILD STD 1009 3%NaCl / 35℃ 24 hours  
ESD test IEC 61000-4-2   Contact pads : +/- 2KV +/ – 4KV
Non contact pads ( Coupling plane discharge ) : +/ – 8KV
Non contact pads ( Air discharge ) : +/ – 4KV +/ – 8KV +/ – 15KV
   
Drop test SDA   1.5m Free fall 6 times  
Durability test SDA   With Non UHS-II microSD Connector: 10,000 mating cycles
With UHS-II microSD Connector: 5,000 mating cycles
   
UV light exposure test ISO 7816-1   UV: 254 nm, 15 Ws/cm    
Bending test SDA   10N on center of the card(Both side), 60sec 5 cycles  
Torque test SDA   0.15N-m,keep 30sec, Max. +/-2.5 degree for SD Card
0.1N-m,keep 30sec, Max. +/-2.5 degree for microSD Card
5 cycles SD/microSD條件不同
X-ray Exposure ISO7816-1   0.1 Gy of medium-energy radiation (70 keV to 140 keV,
cumulative dose per year) to both sides of the card
   
WP switch endurance SDA   Slide force (1N-5N) 1000 cycles  
Rib Strength SDA   Tolerance of 4N force 1 second    

SD 结构剖面图

microSD 结构剖面图

microSD / SD 规格表

Package Pin Count Package size(mm)
microSD
8 / 16 / 17
11 X 15
SD
9 / 17
24 X 32

* 提供客制化设计服务

关闭菜单