芯片加被动组件、天线等任何的单一以上组件之封装，都可视为SiP的封装型态。
也就是利用各个单一系统来组合构建成一个复合且完整的封装体。
SiP包含了下列封装技术：
- 多芯片模块MCM (Multi-chip Module)技术
- 多芯片封装MCP (Multi-chip Package)技术
- 芯片堆栈(Stack Die)
- PoP (Package on Package)
- PiP (Package in Package)
- Embedded Substrate
而随着各电子产品轻薄短小且具高效能，3D 结构的封装更能符合这种市场需求(MCP、Stack Die、PoP、PiP等则属此型态的封装)。
Package in Package
剖面图
3D结构示意图
Package on Package
剖面图
3D结构示意图
Multi-chip Package
剖面图
3D结构示意图
SiP的优点有：
- 研发时间短：随着电子产品的生命周期变短，现今个人行动装置的周期约为6个月，然而，SoC的开发时间约为一至两年，来不及赶上市场需求，进而转向用SiP来取代，SiP的研发时间缩短为二至三个月，相较之下， 具有时间上的优势更可以符合市场需求。
- 规格变更容易:内存储存容量对于许多产品是重要考虑因素，当容量增加时，SiP只需修改基板设计便可达到要求，但SoC需重新设计芯片与基板，甚至重新评估开发新材料，旷日废时。
- 产品尺寸小:由于SiP是将多芯片或Package组合在单一封装体内，相较传统SMT模块来说尺寸较小。
- 低成本:若只考虑封装成本，SoC的成本低于SiP。 但如以整个产品最后的单位成本来比较，会以SiP的成本较低。 因SoC可能结合逻辑及存储元件于同一颗芯片，所以在晶圆制造需要许多特殊材料， 如Low K等等, 甚至是需要用到高成本的先进晶圆制程，所以单价较高，良率也可能会偏低。
- 高可靠性表现: SiP产品所使用的封装材料对于高温、高湿甚至高污染的环境均可保证产品能正常运作。
Excellent
Good
Normal
Poor
| conventional | SoC | SiP | |
|---|---|---|---|
Low Cost | | | |
Development Time | | | |
High Efficiency | | | |
Low Power | | | |
Thin & Light | | | |
Spec. Change | | | |
采用SiP封装的应用：
行动装置、RF产品、无线/天线设备、物联网相关产品、车用电子、功率模块、PC、网络以及储存设备等等，行动装置目前仍为SiP最大的应用。
- OSE 拥有SMT 及IC 封装的制造及设计能力来协助客户进行SiP 产品相关设计，在SiP实务经验上超过23年的经验，具有相当丰富的经验。
- OSE与相关材料供货商有密切的合作关系，在材料取得与开发皆能配合客户的需求。
